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IPB072N15N3GATMA1

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MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

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IPB072N15N3GATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $3.16639 -
2,000 $3.00808 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 8V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 270µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 93 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5470 pF @ 75 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SSR2N60BTF
2SK1464
2SK1464
$0 $/Stück
IRFR110PBF-BE3
STW36N60M6
STW36N60M6
$0 $/Stück
BS270
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$0 $/Stück
GAN063-650WSAQ
PMV55ENEAR
PMV55ENEAR
$0 $/Stück
IRFRC20TRLPBF

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