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IPB100N04S2L03ATMA1

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MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

compliant

IPB100N04S2L03ATMA1 Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 230 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

IRFR9210TRLPBF
ECH8308-P-TL-H
ECH8308-P-TL-H
$0 $/Stück
NTR3162PT3G
NTR3162PT3G
$0 $/Stück
SUD50N04-05L-E3
BSO301SP
PSMN020-150W,127
PSMN020-150W,127
$0 $/Stück
IRFR420TR
IRFR420TR
$0 $/Stück
BSS159N E6327

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