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IPB100N04S303ATMA1

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MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

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IPB100N04S303ATMA1 Preise und Bestellung

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1,000 $1.41189 -
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.5mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 150µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 145 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 9600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 214W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

STW68N65DM6-4AG
FQPF3N60
NVMFS5C628NLWFAFT1G
NVMFS5C628NLWFAFT1G
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NTLJF4156NT1G
NTLJF4156NT1G
$0 $/Stück
DMP6250SE-13
IXTT20P50P
IXTT20P50P
$0 $/Stück
FDFS2P753AZ
NTMFS5C442NT1G
NTMFS5C442NT1G
$0 $/Stück
NTH4L027N65S3F
NTH4L027N65S3F
$0 $/Stück

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