Welcome to ichome.com!

logo
Heim

IPB100N10S305ATMA1

IPB100N10S305ATMA1

IPB100N10S305ATMA1

MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

nicht konform

IPB100N10S305ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.93285 -
0 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.8mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 240µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 176 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 11570 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

STU65N3LLH5
FDPF041N06BL1-F154
FDPF041N06BL1-F154
$0 $/Stück
NTD4855NT4G
NTD4855NT4G
$0 $/Stück
IXFH56N30X3
IXFH56N30X3
$0 $/Stück
IRFR214TRLPBF
VN10KN3-G-P013
SIHFPS38N60L-GE3
5LP01M-TL-E
5LP01M-TL-E
$0 $/Stück
IXTY1N100P
IXTY1N100P
$0 $/Stück
RM8N650HD
RM8N650HD
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.