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IPB11N03LA

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MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3

IPB11N03LA Technisches Datenblatt

compliant

IPB11N03LA Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 11.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 20µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1358 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 52W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

STW80NE06-10
IRFIB6N60A
IRFIB6N60A
$0 $/Stück
SI3441BDV-T1-E3
IXFB80N50Q2
IXFB80N50Q2
$0 $/Stück
FQD7N20TM
FQD7N20TM
$0 $/Stück
IRF2804STRL
APT55M65JFLL
NTD4969NT4G
NTD4969NT4G
$0 $/Stück
IRF7701TRPBF

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