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IPB120N06S403ATMA1

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MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

compliant

IPB120N06S403ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.01442 -
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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.8mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 120µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 160 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 13150 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 167W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SI4420DYPBF
IRFR1010ZPBF
BSL207SP
IXFX180N085
IXFX180N085
$0 $/Stück
IRF620L
IRF620L
$0 $/Stück
NDS9407_G
NDS9407_G
$0 $/Stück
BSP316PE6327T
HUFA76413P3
HUFA76413P3
$0 $/Stück

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