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IPB45N06S4L08ATMA1

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MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3

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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 45A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.9mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 35µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 64 nC @ 10 V
vgs (max) ±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4780 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 71W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

MCQ4410-TP
IRFR3704TRR
IXTT12N140
IXTT12N140
$0 $/Stück
SI5499DC-T1-E3
STFI9N60M2
STFI9N60M2
$0 $/Stück
SUM110N04-2M3L-E3

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