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IPB60R099CPAATMA1

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MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3

compliant

IPB60R099CPAATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $4.39738 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 31A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 105mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 1.2mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 80 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2800 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 255W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

FQI6N60CTU
STI18N65M2
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$0 $/Stück
NTPF360N80S3Z
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$0 $/Stück
SI7858BDP-T1-GE3
AUIRF7737L2TR
SI7119DN-T1-E3
STFI4N62K3
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IRF9630SPBF
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