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IPB60R125CPATMA1

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MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3

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IPB60R125CPATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $3.38631 -
2,000 $3.21699 -
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 25A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 125mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 1.1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2500 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 208W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

BSO203SP
NTE2383
NTE2383
$0 $/Stück
CSD16321Q5C
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$0 $/Stück
RQ5E040RPTL
SIHLU024-GE3
SIHLU024-GE3
$0 $/Stück
EPC2033
EPC2033
$0 $/Stück
RFD16N05SM
HUF76619D3S
5LN01S-TL-E
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$0 $/Stück

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