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IPB60R145CFD7ATMA1

IPB60R145CFD7ATMA1

IPB60R145CFD7ATMA1

MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3-2

compliant

IPB60R145CFD7ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.08540 $3.0854
500 $3.054546 $1527.273
1000 $3.023692 $3023.692
1500 $2.992838 $4489.257
2000 $2.961984 $5923.968
2500 $2.93113 $7327.825
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 145mOhm @ 6.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 340µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1330 pF @ 400 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 83W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SQJA46EP-T2_GE3
IXTP110N055T2
IXTP110N055T2
$0 $/Stück
IXTY01N100D-TRL
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$0 $/Stück
STU80N4F6
STU80N4F6
$0 $/Stück
IXTX6N200P3HV
IXTX6N200P3HV
$0 $/Stück
NVMFS5C673NWFT1G
NVMFS5C673NWFT1G
$0 $/Stück
FDS4770
SIR158DP-T1-GE3

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