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IPB65R045C7ATMA1

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MOSFET N-CH 650V 46A D2PAK

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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 46A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 45mOhm @ 24.9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1.25mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 93 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4340 pF @ 400 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 227W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

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NVMFS6B05NWFT3G
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STP5N62K3
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