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IPB65R065C7ATMA1

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MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK

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IPB65R065C7ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $4.64011 -
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 600mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 200µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 557 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 171W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

IRF9Z24NSPBF
SI1022R-T1-E3
CPH3448-TL-H
CPH3448-TL-H
$0 $/Stück
IRL540STRR
IRL540STRR
$0 $/Stück
5HN01SS-TL-E
5HN01SS-TL-E
$0 $/Stück
STD25P03LT4G
STD25P03LT4G
$0 $/Stück
IPI052NE7N3 G

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