Welcome to ichome.com!

logo
Heim

IPB65R190C7ATMA1

IPB65R190C7ATMA1

IPB65R190C7ATMA1

MOSFET N-CH 650V 13A D2PAK

compliant

IPB65R190C7ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.59246 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 13A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 190mOhm @ 5.7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 290µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1150 pF @ 400 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 72W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

IXFN27N80
IXFN27N80
$0 $/Stück
STW12NK95Z
STW12NK95Z
$0 $/Stück
IXTR62N15P
IXTR62N15P
$0 $/Stück
IRF7807A
IRL5602STRL
FDMS7578
IPI26CN10N G

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.