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IPB77N06S212ATMA1

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MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3

compliant

IPB77N06S212ATMA1 Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 55 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 77A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 11.7mOhm @ 38A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 93µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1770 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 158W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SI5445BDC-T1-E3
IRF740S
IRF740S
$0 $/Stück
IPP062NE7N3G
IRFS3307PBF
STP180N55F3
SI4620DY-T1-E3
ZVP4105ASTOB
IRL540S
IRL540S
$0 $/Stück

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