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IPB80N03S4L03ATMA1

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MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

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IPB80N03S4L03ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.72749 -
2,000 $0.67899 -
5,000 $0.64504 -
10,000 $0.62079 -
21035 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.3mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 45µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 75 nC @ 10 V
vgs (max) ±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5100 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 94W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

FDU6696
NVMTS1D2N08H
NVMTS1D2N08H
$0 $/Stück
STB21NM60ND
FDPF12N50T
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$0 $/Stück
STN3N45K3
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$0 $/Stück
FQU1N60CTU
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$0 $/Stück
IXTX20N150
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$0 $/Stück

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