Welcome to ichome.com!

logo
Heim

IPB80N06S405ATMA1

IPB80N06S405ATMA1

IPB80N06S405ATMA1

MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

compliant

IPB80N06S405ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.65040 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.4mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 60µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 81 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 107W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

SI6433BDQ-T1-GE3
PHU78NQ03LT,127
PHU78NQ03LT,127
$0 $/Stück
STD90N02L-1
IPP13N03LB G
SI4884BDY-T1-GE3
DMN4009LK3-13
FQP6N50
IXTH75N10
IXTH75N10
$0 $/Stück
ZXMN3B04N8TC

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.