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IPB80N06S405ATMA1

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MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

compliant

IPB80N06S405ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.65040 -
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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.4mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 60µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 81 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 107W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SI6433BDQ-T1-GE3
PHU78NQ03LT,127
PHU78NQ03LT,127
$0 $/Stück
STD90N02L-1
IPP13N03LB G
SI4884BDY-T1-GE3
DMN4009LK3-13
FQP6N50
IXTH75N10
IXTH75N10
$0 $/Stück
ZXMN3B04N8TC

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