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IPB80N06S4L07ATMA1

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MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

compliant

IPB80N06S4L07ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.47835 -
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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6.4mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 40µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 75 nC @ 10 V
vgs (max) ±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5680 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 79W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

STF8NM50N
STF8NM50N
$0 $/Stück
DMP2022LSS-13
PMG85XP,115
PMG85XP,115
$0 $/Stück
APT34F100B2
FQAF44N10
NTR3C21NZT1G
NTR3C21NZT1G
$0 $/Stück

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