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IPB80N06S4L07ATMA2

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MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

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Menge Stückpreis Ext. Preis
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6.7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 40µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 75 nC @ 10 V
vgs (max) ±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5680 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 79W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

TPIC1533DWR
TPIC1533DWR
$0 $/Stück
SFW9520TM
SIHH120N60E-T1-GE3
SQ4410EY-T1_BE3
STW70N60M2
STW70N60M2
$0 $/Stück
BSS138BK,215
APT10090BLLG
DMT6005LCT

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