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IPC100N04S51R9ATMA1

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MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34

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IPC100N04S51R9ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
5,000 $0.52273 -
10,000 $0.50308 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.4V @ 50µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 65 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3770 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 100W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-34
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

STN3NF06
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$0 $/Stück
NVMYS4D1N06CLTWG
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DMN30H4D0L-13
FQB3N40TM
IXTT24P20
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IXFA220N06T3
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