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IPC100N04S52R8ATMA1

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MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34

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IPC100N04S52R8ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
5,000 $0.50846 -
10,000 $0.49155 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.4V @ 30µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 75W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-34
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

PMPB95ENEAX
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EPC2302
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$0 $/Stück
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DMP2066LSS-13
IRFP150
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NVMFS5C604NLAFT1G
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R6004ENJTL
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