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IPD042P03L3GATMA1

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MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

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IPD042P03L3GATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.76045 -
5,000 $0.72243 -
12,500 $0.69527 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 70A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.2mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 270µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 175 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 12400 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

RMW180N03TB
FQD4N25TM-WS
FQD4N25TM-WS
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FDT458P
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2SK3801
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NTMFS5H409NLT3G
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