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IPD30N06S4L23ATMA1

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MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

compliant

IPD30N06S4L23ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.25665 -
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 23mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 10µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 21 nC @ 10 V
vgs (max) ±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1560 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 36W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3-11
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

BSS192PE6327
NVD5867NLT4G-TB01
NVD5867NLT4G-TB01
$0 $/Stück
SI5461EDC-T1-E3
IPS031N03L G
SI8417DB-T2-E1
FQB9N50CFTM_WS
FQB9N50CFTM_WS
$0 $/Stück
SI5856DC-T1-E3
IRF3707ZCS

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