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IPD50N03S207ATMA1

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MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

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IPD50N03S207ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.53269 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.3mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 85µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 68 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 136W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3-11
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

IXFH94N30P3
IXFH94N30P3
$0 $/Stück
IRF830SPBF
IRF830SPBF
$0 $/Stück
IRFR120ZTRPBF
NTR5105PT1G
NTR5105PT1G
$0 $/Stück
IRF2804PBF
FQP17N08L
SI3460BDV-T1-BE3
DMG4812SSS-13

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