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IPD50N06S4L08ATMA1

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MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

compliant

IPD50N06S4L08ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.35888 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 35µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 64 nC @ 10 V
vgs (max) ±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4780 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 71W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3-11
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

SI3460DV-T1-GE3
STF5NK52ZD
STF5NK52ZD
$0 $/Stück
IRF1010ZLPBF
IRFIBE20G
IRFIBE20G
$0 $/Stück
IRFU9120N
SI7156DP-T1-GE3
PSMN070-200P,127-NXP
STD65NF06
STD65NF06
$0 $/Stück
SPB21N10

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