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IPD50R280CEBTMA1

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MOSFET N-CH 500V 13A TO252-3

nicht konform

IPD50R280CEBTMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.61460 -
5,000 $0.58387 -
12,500 $0.56192 -
25,000 $0.54436 -
62,500 $0.52680 -
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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 13A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 13V
rds ein (max) @ id, vgs 280mOhm @ 4.2A, 13V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 350µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 32.6 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 773 pF @ 100 V
FET-Funktion Super Junction
Verlustleistung (max.) 92W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3-11
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

STD30PF03L-1
IRFR9210TRR
IRFR9210TRR
$0 $/Stück
NTP60N06G
NTP60N06G
$0 $/Stück
LSIC1MO120G0120
BSS139 E6906
IRLR3103
IXFR70N15
IXFR70N15
$0 $/Stück
NVATS5A113PLZT4G
NVATS5A113PLZT4G
$0 $/Stück

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