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IPD60R2K0C6ATMA1

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MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3

compliant

IPD60R2K0C6ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.32570 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2Ohm @ 760mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 60µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 6.7 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 140 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 22.3W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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