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IPD60R380E6BTMA1

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MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3

compliant

IPD60R380E6BTMA1 Preise und Bestellung

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57070 items
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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 380mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 300µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 700 pF @ 100 V
FET-Funktion Super Junction
Verlustleistung (max.) 83W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 155°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

SI4403CDY-T1-GE3
FQD9N25TM-F085
FQD9N25TM-F085
$0 $/Stück
DMP4065SQ-7
CSD17578Q5AT
STB21N65M5
STB21N65M5
$0 $/Stück
APT84M50L
SQJ422EP-T1_GE3

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