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IPD60R800CEATMA1

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MOSFET N-CH 600V 5.6A TO252-3

compliant

IPD60R800CEATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 800mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 170µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 17.2 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 373 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 48W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

IRFR3707TRL
STD38NH02L-1
SUM70N03-09CP-E3
IRLU3714ZPBF
BSO4420T
SI1417EDH-T1-E3
IRFP354PBF
IRFP354PBF
$0 $/Stück
IXTK80N25
IXTK80N25
$0 $/Stück
STL150N3LLH5

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