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IPD78CN10NG

IPD78CN10NG

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

IPD78CN10NG Technisches Datenblatt

compliant

IPD78CN10NG Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ -
Technologie -
Drain-Source-Spannung (VDSS) -
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart -
Lieferantengerätepaket -
Paket / Koffer -
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Zugehörige Teilenummer

FQA20N40
FQA20N40
$0 $/Stück
STL80N3LLH6
IRF7422D2TR
BSP318S E6327
IXFC74N20P
IXFC74N20P
$0 $/Stück
IRF7834
IRF7834
$0 $/Stück
AUIRLR024Z
STB25NM50N-1

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