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IPD80N04S306ATMA1

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MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

compliant

IPD80N04S306ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.56657 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 90A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.2mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 52µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 47 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3250 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 100W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3-11
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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