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IPD80R2K8CEBTMA1

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MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

compliant

IPD80R2K8CEBTMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.39861 -
5,000 $0.38107 -
12,500 $0.36853 -
25,000 $0.35850 -
62,500 $0.34847 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.9A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.8Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.9V @ 120µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 290 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 42W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3-11
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

IRLR4343TRR
NTB75N03-06T4
NTB75N03-06T4
$0 $/Stück
FDMS86568-F085
FDMS86568-F085
$0 $/Stück
NTDV6414ANT4G
NTDV6414ANT4G
$0 $/Stück
IRFSL4310ZPBF
SI7866ADP-T1-E3
SI3434DV-T1-E3

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