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IPD90N06S4L05ATMA1

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MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

compliant

IPD90N06S4L05ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.47670 -
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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 90A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.6mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 60µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (max) ±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8180 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 107W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3-11
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

NTB90N02
NTB90N02
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NTD4815NH-35G
NTD4815NH-35G
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MTW7N80E
MTW7N80E
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RSD160P05TL
IRF640L
IRF640L
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NX3008NBKV/S500115

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