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IPDQ60R010S7XTMA1

IPDQ60R010S7XTMA1

IPDQ60R010S7XTMA1

HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22

compliant

IPDQ60R010S7XTMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $36.44000 $36.44
500 $36.0756 $18037.8
1000 $35.7112 $35711.2
1500 $35.3468 $53020.2
2000 $34.9824 $69964.8
2500 $34.618 $86545
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 12V
rds ein (max) @ id, vgs 10mOhm @ 50A, 12V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 3.08mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 318 nC @ 12 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 11987 pF @ 300 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 694W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-HDSOP-22-1
Paket / Koffer 22-PowerBSOP Module
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Zugehörige Teilenummer

SQJ433EP-T1_GE3
DMT35M4LFVW-13
DMP3011SFVW-7
NVMFS5H610NLT1G
NVMFS5H610NLT1G
$0 $/Stück
RFH10N50
RFH10N50
$0 $/Stück
FDR836P
UJ4C075060K3S
UJ4C075060K3S
$0 $/Stück
FDPF18N50T-G
FDPF18N50T-G
$0 $/Stück
DMP1012USS-13

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