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IPG20N04S409AATMA1

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N-CHANNEL POWER MOSFET

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IPG20N04S409AATMA1 Preise und Bestellung

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1000 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Tc)
rds ein (max) @ id, vgs 8.6mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 22µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 28nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2250pF @ 25V
Leistung - max. 54W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-4
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Zugehörige Teilenummer

MCH6606-TL-E
MCH6606-TL-E
$0 $/Stück
BUK9MTT-65PBB,518
STM1683411
NTMFD4902NFT3G-S
NTMFD4902NFT3G-S
$0 $/Stück
IRF84093
IRF84093
$0 $/Stück
BUK9MRR-65PKK,518

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