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IPI320N20N3GAKSA1

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MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3

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IPI320N20N3GAKSA1 Preise und Bestellung

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500 $1.87348 $936.74
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 34A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 32mOhm @ 34A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 90µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2350 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 136W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO262-3
Paket / Koffer TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Zugehörige Teilenummer

FQP33N10
FQP33N10
$0 $/Stück
SIHP17N80E-BE3
IRFB3004PBF
BUK9Y113-100E,115
IXFN150N10
IXFN150N10
$0 $/Stück
BSD214SNL6327
FDPF190N15A
FDPF190N15A
$0 $/Stück

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