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IPN70R750P7SATMA1

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MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223

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IPN70R750P7SATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.31041 -
6,000 $0.29128 -
15,000 $0.28172 -
30,000 $0.27650 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 700 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 750mOhm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 70µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8.3 nC @ 10 V
vgs (max) ±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 306 pF @ 400 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 6.7W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-SOT223
Paket / Koffer TO-261-4, TO-261AA
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Zugehörige Teilenummer

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