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IPP084N06L3GXKSA1

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MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3

compliant

IPP084N06L3GXKSA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
500 $0.94154 $470.77
1664 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 34µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 29 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4900 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 79W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IPI072N10N3 G
BUK964R2-60E,118
BSH202,215
BSH202,215
$0 $/Stück
NTE2379
NTE2379
$0 $/Stück
MCU90N06A-TP
STB13N80K5
STB13N80K5
$0 $/Stück
STD40NF10
STD40NF10
$0 $/Stück
RSQ035N03HZGTR
IRLZ44STRRPBF

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