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IPP086N10N3G

IPP086N10N3G

IPP086N10N3G

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8

compliant

IPP086N10N3G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ -
Technologie -
Drain-Source-Spannung (VDSS) -
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart -
Lieferantengerätepaket -
Paket / Koffer -
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Zugehörige Teilenummer

FDB2552-F085
FDB2552-F085
$0 $/Stück
STB30NM60ND
SPP16N50C3
US5U29TR
US5U29TR
$0 $/Stück
NTF3055L108T3G
NTF3055L108T3G
$0 $/Stück
NVD6415ANT4G-VF01
NVD6415ANT4G-VF01
$0 $/Stück
FQU6N40CTU

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