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IPP100N06S2L05AKSA2

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MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3

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IPP100N06S2L05AKSA2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
500 $1.40680 $703.4
340 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 55 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 230 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5660 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220-3-1
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

APT50M50JVR
RM135N100HD
RM135N100HD
$0 $/Stück
SI3440DV-T1-GE3
SIHF840LCS-GE3
EKI07174
EKI07174
$0 $/Stück
PSMN7R5-30MLDX
CSD17322Q5A
CSD17322Q5A
$0 $/Stück
SQD40061EL_GE3
FDMC86262P
FDMC86262P
$0 $/Stück

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