Welcome to ichome.com!
| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 500 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 7.6A (Tc) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 13V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 500mOhm @ 2.3A, 13V |
| vgs(th) (max) @ ID | 3.5V @ 200µA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 18.7 nC @ 10 V |
| vgs (max) | ±20V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 433 pF @ 100 V |
| FET-Funktion | Super Junction |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montageart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220-3-1 |
| Paket / Koffer | TO-220-3 |
Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.