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IPP60R125CFD7XKSA1

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MOSFET N-CH 600V 18A TO220-3

nicht konform

IPP60R125CFD7XKSA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.90000 $4.9
10 $4.40700 $44.07
100 $3.66480 $366.48
500 $3.02180 $1510.9
1,000 $2.59310 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 125mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 390µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 36 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1503 pF @ 400 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 92W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

FQA65N20
FQA65N20
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STF16N60M6
STF16N60M6
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STP4NK80Z
STP4NK80Z
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IXFR20N80P
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$0 $/Stück
IXTT1N300P3HV
IXTT1N300P3HV
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FKI07174
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