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IPP60R380P6

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IPP60R380P6

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

IPP60R380P6 Technisches Datenblatt

nicht konform

IPP60R380P6 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.04000 $1.04
500 $1.0296 $514.8
1000 $1.0192 $1019.2
1500 $1.0088 $1513.2
2000 $0.9984 $1996.8
2500 $0.988 $2470
28500 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) -
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IRLB8314PBF
STH2N120K5-2AG
IXTP12N65X2
IXTP12N65X2
$0 $/Stück
SIHFPS40N50L-GE3
DMT2004UFDF-7
HUF75321P3
HUF75321P3
$0 $/Stück
BST82,235
BST82,235
$0 $/Stück
RM60P60HD
RM60P60HD
$0 $/Stück
IRFB7537PBF

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