Welcome to ichome.com!

logo
Heim

IPP80N06S209AKSA1

IPP80N06S209AKSA1

IPP80N06S209AKSA1

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

compliant

IPP80N06S209AKSA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
Call $Call -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 55 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9.1mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 125µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 80 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2360 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 190W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220-3-1
Paket / Koffer TO-220-3
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

2N6784
2N6784
$0 $/Stück
IRLI620GPBF
IRLI620GPBF
$0 $/Stück
IXTK62N25
IXTK62N25
$0 $/Stück
HUFA75333S3S
HUFA75333S3S
$0 $/Stück
GKI06071
GKI06071
$0 $/Stück
SI4833ADY-T1-E3

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.