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IPP80N06S2LH5AKSA1

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MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

compliant

IPP80N06S2LH5AKSA1 Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 55 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 190 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220-3-1
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

STW80NF55-08
NVMFS5C404NLT1G
NVMFS5C404NLT1G
$0 $/Stück
IXTP110N12T2
IXTP110N12T2
$0 $/Stück
IRFS7730PBF
SUD50P08-26-E3
FDP2570
FDP2570
$0 $/Stück
IRFRC20TRR
IRFRC20TRR
$0 $/Stück

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