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IPS65R1K0CEAKMA1

IPS65R1K0CEAKMA1

IPS65R1K0CEAKMA1

MOSFET N-CH 650V 4.3A TO251

compliant

IPS65R1K0CEAKMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,500 $0.34320 -
1878 items
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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 200µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15.3 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 328 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 37W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-251
Paket / Koffer TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Zugehörige Teilenummer

MGSF3455XT1
MGSF3455XT1
$0 $/Stück
NVMYS2D2N06CLTWG
NVMYS2D2N06CLTWG
$0 $/Stück
FQP20N06L
FQP20N06L
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STFW38N65M5
STL105N4LF7AG
FQD5P20TM
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