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IPSA70R950CEAKMA1

IPSA70R950CEAKMA1

IPSA70R950CEAKMA1

MOSFET N-CH 700V 8.7A TO251-3

compliant

IPSA70R950CEAKMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.86000 $0.86
10 $0.75300 $7.53
100 $0.58090 $58.09
500 $0.43032 $215.16
1,000 $0.34426 -
140810 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 700 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 950mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 150µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15.3 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 328 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 94W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO251-3-347
Paket / Koffer TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Zugehörige Teilenummer

RP1E050RPTR
STB9NK80Z
STB9NK80Z
$0 $/Stück
RRF015P03TL
NTTFS4C08NTAG
NTTFS4C08NTAG
$0 $/Stück
SISH472DN-T1-GE3
STU6N62K3
STU6N62K3
$0 $/Stück
NTB12N50T4
NTB12N50T4
$0 $/Stück

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