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IPT012N08N5ATMA1

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MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF

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IPT012N08N5ATMA1 Preise und Bestellung

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2,000 $3.90691 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 300A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.2mOhm @ 150A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.8V @ 280µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 223 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 17000 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 375W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-HSOF-8-1
Paket / Koffer 8-PowerSFN
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Zugehörige Teilenummer

IRFP054PBF
IRFP054PBF
$0 $/Stück
NVMFS5C442NWFET1G
NVMFS5C442NWFET1G
$0 $/Stück
SI4401DDY-T1-GE3
STF100N10F7
FDMC7660S
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$0 $/Stück
DMP3026SFDE-7
SI7172DP-T1-GE3

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