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IPT60R022S7XTMA1

IPT60R022S7XTMA1

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MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF

nicht konform

IPT60R022S7XTMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $18.86000 $18.86
500 $18.6714 $9335.7
1000 $18.4828 $18482.8
1500 $18.2942 $27441.3
2000 $18.1056 $36211.2
2500 $17.917 $44792.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 23A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 12V
rds ein (max) @ id, vgs 22mOhm @ 23A, 12V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 1.44mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 150 nC @ 12 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5639 pF @ 300 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 390W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-HSOF-8-2
Paket / Koffer 8-PowerSFN
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Zugehörige Teilenummer

IRFP3306PBF
CSD19538Q3AT
NVMFS5C426NAFT1G
NVMFS5C426NAFT1G
$0 $/Stück
SIHFB20N50K-E3
NTD4815NT4G
NTD4815NT4G
$0 $/Stück
DMP32D4SW-7
APT20M38SVRG
NTMS4917NR2G
NTMS4917NR2G
$0 $/Stück
STW15NK50Z
STW15NK50Z
$0 $/Stück

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