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IPW60R099P6XKSA1

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MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3

nicht konform

IPW60R099P6XKSA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.74000 $6.74
10 $6.06100 $60.61
240 $5.04063 $1209.7512
720 $4.15619 $2992.4568
1,200 $3.56657 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 37.9A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 99mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 1.21mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3330 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 278W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO247-3
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

NTD6415ANLT4G
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$0 $/Stück
NTMFS4C35NT3G
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$0 $/Stück
IXFH110N10P
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$0 $/Stück
NVTFS4C08NTWG
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$0 $/Stück
RJK005N03FRAT146
2SJ263
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$0 $/Stück
NVMFS4C03NWFT3G
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