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IPW65R190E6

IPW65R190E6

IPW65R190E6

N-CHANNEL POWER MOSFET

IPW65R190E6 Technisches Datenblatt

nicht konform

IPW65R190E6 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.74000 $1.74
500 $1.7226 $861.3
1000 $1.7052 $1705.2
1500 $1.6878 $2531.7
2000 $1.6704 $3340.8
2500 $1.653 $4132.5
539 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ -
Technologie -
Drain-Source-Spannung (VDSS) -
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart -
Lieferantengerätepaket -
Paket / Koffer -
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Zugehörige Teilenummer

SCTW35N65G2V
MGSF1N03LT1G
MGSF1N03LT1G
$0 $/Stück
NTD5804NT4G
NTD5804NT4G
$0 $/Stück
IXFA7N80P-TRL
IXFA7N80P-TRL
$0 $/Stück
PMCM6501VNEZ
SFU9014TU

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